技術提携： 集積回路製造用電子グレード臭化水素(HBr)の開発

所在地：浙江省嘉興市

概要：

1、超高純度電子グレード臭化水素（HBr）の精製技術。二重塔式蒸留を採用することを提案し、第1塔を軽成分蒸留塔として、N2、H2、O2などの軽成分不純物ガスを基準値内に低減し、第2塔を重成分を蒸留して、HBr製品中の重成分ガス状不純物と金属不純物を基準値内に低減する。 その後、外部循環昇圧装置を通して、臭化水素のシリンダー充填を完了する。

・技術パラメーター：純度5.5N、CO2＜0.3ppm、CO＜0.3ppm、CH4＜0.3ppm、N2＜0.3ppm、O2/Ar＜0.3ppm、H2O＜1ppm、H2＜10ppm、HCl＜0.5ppm、Fe＜5ppb Ca＜0.1ppb、Co＜0.5ppb、Cr＜1ppb、Cu＜0.5ppb、Ni＜1ppb、Na＜1ppb、Zn＜0.5ppb、Mg＜1ppb、Al＜3ppb、Mn＜1ppb、Pb＜5ppb。

2、超高純度電子グレードの臭化水素（HBr）の分析技術。 GCとFTIRを利用して、製品中のガス不純物管理結果を検出し、ICP-MSを利用して、製品中の金属イオン含有量を分析する。

3、超高純度電子グレード臭化水素（HBr）の精製装置と超クリーン包装容器の製造技術。超高純度臭化水素(HBr)精製装置と超クリーン包装容器の製造には純ニッケル材料が使用され、容器へのHBrの腐食を最小限に抑え、製品への不純物イオンの混入を低減する。一方、純ニッケル材料の汚染防止、溶接、機械研磨、電解研磨などの難題を克服し、最終的に技術要求を満たす製品を製造する

・技術パラメーター：

• 本体材料、316L/ニッケル系材料
• 内壁粗さRa≤0.1um
• ヘリウム漏れ検出率（真空法）≤1.0×10-9mbar・l/s
• 酸素含有量≤0.1ppm
• 水分含有量≤0.1ppm
• 粒度・粒子≥0.1um、≤1/立方フィート

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